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NVMFWS0D9N04XMT1G
N沟道 耐压:40V 电流:273A
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- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 小尺寸（5x6 mm），紧凑设计。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS0D9N04XMT1G
- 商品编号
- C31999769
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 273A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 121W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.696nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.5nF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS和REACH标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理