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IMBG40R015M2HXTMA1实物图
  • IMBG40R015M2HXTMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IMBG40R015M2HXTMA1

适用于高频开关和同步整流的CoolSiC MOSFET,具备低Qtr快速体二极管、低Rds(on)温度依赖性和XT互连技术

商品型号
IMBG40R015M2HXTMA1
商品编号
C32004345
商品封装
TO-263-7​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)111A
耗散功率(Pd)341W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)62nC
输入电容(Ciss)2.73nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)300pF
导通电阻(RDS(on))19.1mΩ

商品特性

  • 适用于高频开关和同步整流
  • 具有换向稳健的快速体二极管,Qfr 较低
  • 导通电阻 RDS(on) 对温度的依赖性较低
  • 基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V
  • 推荐栅极驱动电压为 0 V 至 18 V
  • 采用 .XT 互连技术,具备一流的热性能
  • 经过 100% 雪崩测试

应用领域

  • 开关电源
  • 太阳能光伏逆变器
  • 储能、不间断电源和电池化成
  • D 类音频
  • 电机驱动

数据手册PDF