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CJAB55N03S
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- CJAB55N03S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAB55N03S
- 商品编号
- C2973797
- 商品封装
- PDFNWB3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 295pF |
商品概述
MPF13N50采用先进的技术和设计，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 500 V，漏极电流（ID）= 13 A
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器