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TF60N04实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TF60N04

N沟道 耐压:40V 电流:60A

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描述
TF60N04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌名称
TF(拓锋)
商品型号
TF60N04
商品编号
C2972570
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)55W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.3V
栅极电荷量(Qg)25.5nC
输入电容(Ciss)1.235nF
反向传输电容(Crss)138.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

TF60N04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),可最大限度地降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻

应用领域

  • MB/VGA内核电压
  • 开关电源二次侧同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF