温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TF60N04
N沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TF60N04将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF60N04
- 商品编号
- C2972570
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，对驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 对电容、雪崩电压和电流进行全面表征
- 指定了有效输出电容Coss
应用领域
-开关电源(SMPS)-不间断电源-高速功率开关
相似推荐
其他推荐