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TF050N04N
N沟道,电流:80A,耐压:40V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF050N04N
- 商品编号
- C2972572
- 商品封装
- DFN-8(5.1x6.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43.2nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.174nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MDmesh是一种全新的革命性MOSFET技术，它将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。由此产生的产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt和出色的雪崩特性。采用专利条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品。
商品特性
- 典型漏源导通电阻 = 0.08 Ω
- 高dv/dt和雪崩能力
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高制造良率
应用领域
MDmesh系列非常适合提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化并提高效率。
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