- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NT5AD256M16E4-JRI
DDR4-4Gb E-Die SDRAM
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- 描述
- 特性：数据完整性。 由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。 自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。 按存储体组分离的IO门控结构。 自刷新中止。 精细粒度刷新-信号同步
- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5AD256M16E4-JRI
- 商品编号
- C31947433
- 商品封装
- TFBGA-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 通过DRAM内置TS实现自动自刷新
- 自动刷新与自刷新模式
- 通过存储体组实现分离的输入/输出门控结构
- 自刷新中止
- 细粒度刷新
- 通过模式寄存器设置实现写入均衡
- 通过多用途寄存器实现读取均衡
- 命令/地址奇偶校验
- 数据总线写入循环冗余校验
- 多用途寄存器读取
- 边界扫描
- 封装后修复
- 内部数据参考电压训练
- 读取前导码训练
- 降速模式
- 每DRAM可寻址性
- 可配置驱动强度以提升系统兼容性
- 可配置片内终端匹配
- 数据总线翻转
- 通过外部ZQ焊盘进行ZQ校准以实现驱动强度/片内终端匹配阻抗精度
- 采用数据输出端电源轨端接
- 命令/地址延迟
- 最大省电模式
- 低功耗自动自刷新
- 可编程输出驱动器阻抗
- 可编程列地址选通写入延迟
- 可编程附加延迟
- 可编程片选至命令地址延迟
- 可编程命令地址奇偶校验延迟
- 可编程写入恢复时间
- 可编程突发类型
- 可编程停车终端匹配电阻
- 可编程正常终端匹配电阻
- 可编程写入终端匹配电阻
- 可编程读取前导码
- 可编程写入前导码
- 可编程突发长度
- 可编程低功耗自动自刷新模式
- 符合无铅RoHS标准且无卤素
- 未使用有毒物质控制法案中的5种持久性、生物累积性和毒性物质
- 工作电压：1.2V / 1.2V / 2.5V