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NT5AD256M16E4-JRI
DDR4-4Gb E-Die SDRAM
- 描述
- 特性：数据完整性。 由DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR）。 自动刷新和自刷新模式-DRAM访问带宽。 按存储体组分离的IO门控结构。 自刷新中止。 精细粒度刷新-信号同步
- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5AD256M16E4-JRI
- 商品编号
- C31947433
- 商品封装
- TFBGA-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.2V | |
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
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