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IRFIBE20GPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFIBE20GPBF

N沟道 耐压:800V 电流:1.4A

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描述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中额外绝缘硬件的需求。所用的模塑料在管芯和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定安装到散热器上。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFIBE20GPBF
商品编号
C2971988
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
3.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)1.4A
导通电阻(RDS(on))6.5Ω@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)530pF
反向传输电容(Crss)90pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品特性

  • 隔离封装
  • 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
  • 散热片至引脚爬电距离 = 4.8 mm
  • 动态dV/dt额定值
  • 低热阻

应用领域

  • DC/DC转换器-服务器板载电源-同步整流

数据手册PDF