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SL2319A
P沟道增强型场效应管 1个P沟道 耐压:40V 电流:4.4A
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- 描述
- 类型 P VDSS(V) -40 ID@TC=62?C(A) -4.4 PD@TC=62?C(W) 1.5 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.42V 150
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL2319A
- 商品编号
- C2965530
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款高压器件是采用SuperMESH技术开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET，该技术是对成熟PowerMESH技术的优化。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 通过AEC - Q101认证
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用