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SL15N10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=89?C(A) 15 PD@TC=89?C(W) 34 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.69V 130
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL15N10A
- 商品编号
- C2965546
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.451克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% 漏源电压变化(∇VDS)测试
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能