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SL2328A
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- 类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=86?C(A) 2 PD@TC=86?C(W) 1.2 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.66V 350
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL2328A
- 商品编号
- C2965525
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 387pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31pF |
商品概述
全新 MDmesh™ M6 技术融合了对知名且成熟的 MDmesh 超结（SJ）MOSFET 系列的最新改进。 意法半导体（STMicroelectronics）通过其全新 M6 技术在前一代 MDmesh 器件的基础上进行升级，该技术将出色的单位面积导通电阻 RDS(on) 改善与高效的开关性能相结合，同时为用户带来便捷体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，RDS(on) x 面积更低
- 栅极输入电阻低
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源极引脚，实现出色的开关性能
应用领域
- 开关应用