温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFI644GPBF
1个N沟道 耐压:250V 电流:7.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业-工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFI644GPBF
- 商品编号
- C2962728
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
该器件是一款采用具备新型沟槽栅极结构的STripFET™ H6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用