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AP8205
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- SOT-23-6塑封封装 N 沟道双 MOS 管。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP8205
- 商品编号
- C360340
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
30V/150A 导通电阻 RDS(ON) = 2.0 毫欧（典型值）时，栅极与源极之间的电压 VGS = 10 伏 导通电阻 RDS(ON) = 2.7 毫欧（典型值）时，栅极与源极之间的电压 VGS = 4.5 伏100% 经过雪崩测试
- 性能可靠且经久耐用
- 提供不含卤素的设备选择
商品特性
- 采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,栅极工作电压低至 2.5 V。
- 采用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷,栅极工作电压低至2.5V。
应用领域
- 适用于电池保护电路、开关电路。
- 用于电池保护、开关应用。