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AP8205A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
- 描述
- TSSOP8 塑封封装 N 沟道双 MOS 管。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP8205A
- 商品编号
- C360341
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 采用先进的沟槽技术,提供较小的导通电阻 RDS(on),低栅极电荷,栅极工作电压低至 2.5V。
- 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 RDS(on)、低栅极电荷,且栅极电压低至 2.5V 时仍可工作。
应用领域
- 适用于电池保护电路、开关电路。
- 用作电池保护、开关应用。
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