S29GL064S70DHI010

S29GL-S中密度系列器件是采用65纳米MIRRORBIT技术制造的3.0V单电源闪存。S29GL064S是一个64Mb器件，组织为4,194,304字或8,388,608字节。根据型号，器件仅有16位宽数据总线，或通过使用BYTE#输入，16位宽数据总线也可以作为8位宽数据总线功能。器件可以在主机系统或标准EPROM编程器中进行编程。访问时间最快可达70纳秒。封装选项包括48引脚TSOP、56引脚TSOP、48球细间距BGA和64球加固BGA，具体取决于型号。每个器件具有独立的芯片使能(CE#)、写使能(WE#)和输出使能(OE#)控制。每个器件仅需单个3.0V电源用于读写功能。除了V_CC输入外，通过WP#/ACC或ACC输入上的增加电压支持高压加速编程(ACC)功能。此功能旨在促进系统生产。该器件完全符合JEDEC单电源闪存标准的命令集。命令使用标准微处理器写时序写入器件。写周期还在内部锁存编程和擦除操作所需的地址和数据。扇区擦除架构允许内存扇区被擦除和重新编程，而不影响其他扇区的数据内容。器件出厂时已完全擦除。高级扇区保护提供多个级别的扇区保护，可以禁用某些扇区的编程和擦除操作。持久扇区保护是一种替代先前12V控制保护方法的方法。密码扇区保护是一种高度复杂的保护方法，需要在允许更改某些扇区之前输入密码。器件编程和擦除通过命令序列启动。一旦编程或擦除操作开始，主机系统只需轮询DQ7(Data#轮询)或DQ6(切换)状态位或监视就绪/忙(RY/BY#)输出来确定操作是否完成。为便于编程，解锁旁路模式通过仅需两个写周期来编程数据而不是四个，减少了命令序列开销。硬件数据保护措施包括低V_CC检测器th。

• 具有通用I/O的CMOS 3.0V核心
• 单电源操作
• 采用65纳米MIRRORBIT™工艺技术制造
• 安全硅区域
• 通过8字/16字节随机电子序列号，可通过命令序列实现128字/256字节扇区的永久、安全识别，可在工厂或由客户进行编程和锁定
• 灵活的扇区架构：64Mb（统一扇区型号）有128个32K字（64KB）扇区；64Mb（引导扇区型号）有127个32K字（64KB）扇区 + 8个4K字（8KB）引导扇区
• 自动错误检查和纠正（ECC） - 具有单比特错误纠正功能的内部硬件ECC
• 增强的通用I/O控制
• 所有输入电平（地址、控制和DQ输入电平）和输出由VIO输入上的电压决定，VIO范围为1.65V至VCC
• 与JEDEC标准兼容
• 为单电源闪存提供引脚和软件兼容性，以及出色的意外写入保护
• 每个扇区至少100,000次擦除周期
• 典型20年数据保留期
• 高性能，70ns访问时间，8字/16字节页读取缓冲区，15ns页读取时间
• 128字/256字节写缓冲区，可减少多字更新的总体编程时间
• 低功耗：典型初始读取电流在5MHz时为25mA，典型页读取电流在33MHz时为7.5mA，典型擦除/编程电流为50mA，典型待机模式电流为40μA
• 封装选项：48引脚TSOP、56引脚TSOP、64球加固BGA（LAA064 13mm×11mm×1.4mm，LAE064 9mm×9mm×1.4mm）、48球细间距BGA（VBK048 8.15mm×6.15mm×1.0mm）
• 温度范围：工业级（-40°C至+85°C）、工业增强级（-40°C至+105°C）、汽车级AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）、汽车级AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）
• 软件特性：高级扇区保护提供持久扇区保护和密码扇区保护；编程暂停和恢复功能可在编程操作完成前读取其他扇区；擦除暂停和恢复功能可在擦除操作完成前读取/编程其他扇区；数据#轮询和切换位提供状态；符合通用闪存接口（CFI），允许主机系统识别和适配多个闪存设备；解锁旁路编程命令可减少总体多字编程时间
• 硬件特性：WP#/ACC输入支持制造编程操作（施加高压时），在统一扇区型号中，无论扇区保护设置如何，都可保护第一个或最后一个扇区；硬件复位输入（RESET#）可复位设备；Ready/Busy#输出（RY/BY#）可检测编程或擦除周期完成情况