S29GL064S80FHV020

S29GL-S中密度系列器件是采用65纳米MIRRORBIT™技术制造的3.0V单电源闪存。S29GL064S是一款64 Mb器件，组织为4，194，304字或8，388，608字节。根据型号不同，该器件可仅具有16位宽数据总线，或通过使用BYTE#输入，也可作为8位宽数据总线工作。该器件可在主机系统或标准EPROM编程器中进行编程。访问时间最快可达70 ns。请注意，每个访问时间都有特定的工作电压范围，具体规格请参见相关产品选型指南和订购信息。封装选项包括48引脚TSOP、56引脚TSOP、48球细间距BGA和64球加固BGA，具体取决于型号。每个器件具有独立的片选、写使能和输出使能控制。每个器件仅需单一3.0V电源即可进行读写操作。除VCC输入外，还支持通过WP#/ACC或ACC输入施加更高电压来实现高压加速编程功能，此功能旨在方便系统生产。该器件完全兼容JEDEC单电源闪存标准的命令集。命令使用标准微处理器写时序写入器件。写周期还会内部锁存编程和擦除操作所需的地址和数据。扇区擦除架构允许擦除和重新编程存储扇区，而不影响其他扇区的数据内容。器件出厂时已完全擦除。高级扇区保护功能提供多级扇区保护，可禁用特定扇区的编程和擦除操作。持久性扇区保护是一种替代先前12V受控保护方法的新方法。密码扇区保护是一种高度复杂的保护方法，要求在允许更改特定扇区之前输入密码。器件编程和擦除通过命令序列启动。一旦编程或擦除操作开始，主机系统只需轮询DQ7或DQ6状态位，或监控Ready/Busy#输出即可确定操作是否完成。为便于编程，解锁旁路模式通过仅需两个写周期（而非四个）来编程数据，从而减少了命令序列开销。硬件数据保护措施包括低VCC检测器，可自动禁止写操作。