S70FS01GSDSBHB210

FS - S系列设备是闪存非易失性存储产品，采用MIRRORBIT™技术（在每个存储阵列晶体管中存储两位数据）、Eclipse架构（显著提高编程和擦除性能）以及65纳米工艺光刻技术。该系列通过SPI连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），也可选双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）或QPI（即四外围接口）串行命令。这种多宽度接口称为SPI多I/O或MIO。此外，QIO和QPI有DDR读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。FS - S的Eclipse架构有一个页面编程缓冲区，允许一次编程最多512字节。

• 具有多I/O的SPI
• SPI时钟极性和相位模式0和3
• DDR
• 扩展寻址：24位或32位地址选项
• 串行命令子集和封装与S25FL1 - K、S25FL - P和S25FL - S SPI系列兼容
• 多I/O命令子集和封装与S25FL - P、S25FL1 - K和S25FL - S SPI系列兼容
• 读取：命令包括正常、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O；模式包括突发环绕、四外围接口（QPI）；具有串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI）用于配置信息
• 编程：256或512字节页面编程缓冲区；支持编程暂停和恢复；自动纠错码（ECC）——内部硬件ECC可纠正单比特错误
• 擦除：有混合扇区选项（地址空间顶部或底部有一组八个4 KB扇区和一个224 KB扇区，其余扇区为256 KB）；统一扇区选项（物理统一的256 KB块）；支持擦除暂停和恢复；支持擦除状态评估；任何扇区至少有100,000次编程 - 擦除循环；数据保留时间至少20年
• 安全特性：1024字节的OTP阵列；块保护（状态寄存器位控制对连续扇区范围的编程或擦除保护；有硬件和软件控制选项）；高级扇区保护（ASP）（单个扇区保护由引导代码或密码控制；可选密码控制读取访问）
• 技术：采用65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构
• 单电源电压，CMOS I/O
• 电压范围1.7 V至2.0 V
• 温度范围：工业级（-40°C至+85°C）；工业增强级（-40°C至+105°C）；汽车级AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）；汽车级AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）；汽车级AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）
• 封装（均无铅）：16引脚SOIC 300 mil；BGA - 24 6×8 mm；5×5焊球封装