S71KL512SC0BHB000

本补充数据手册为HyperBus多芯片封装（MCP）系列提供了与MCP设备相关的信息，该系列集成了HyperFlash和HyperRAM存储器。文档描述了MCP中集成的相关存储器的特性、操作和订购选项与标准存储设备相比有哪些增强或变化。本文件中的信息会修改表1中所列文件中关于相同主题的任何信息，应与这些文件结合使用。本文件还可能包含所列文件之前未涵盖的信息。这些信息适用于应用程序、操作系统或工具的硬件系统设计师和软件开发人员。对于同时需要闪存和自刷新DRAM的系统，HyperBus产品系列包括将HyperFlash和HyperRAM集成在单个封装中的MCP设备。HyperBus MCP可减少电路板空间和印刷电路板（PCB）信号布线拥堵，同时与单独封装的存储配置相比，还能保持或提高信号完整性。HyperBus MCP系列提供1.8V/3V接口的HyperFlash，容量为512 Mb（64 Mbyte）和256 Mb（32 Mbyte），并与64 Mb（8 Mbyte）的HyperRAM相结合。本补充数据手册仅涉及与HyperBus规范以及单个HyperFlash和HyperRAM数据手册相比，MCP相关的差异。有关MCP中单个存储器的所有其他信息，请参考HyperBus、HyperFlash和HyperRAM数据手册。

• HyperFlash和HyperRAM采用多芯片封装（MCP）
• 有1.8V、512 Mb HyperFlash和64 Mbit HyperRAM（S71KS512SC0）；3.0V、512 Mb HyperFlash和64 Mbit HyperRAM（S71KL512SC0）；3.0V、256 Mb HyperFlash和64 Mbit HyperRAM（S71KL256SC0）
• FBGA 24球，6×8×1.0 mm封装
• HyperBus接口：1.8V I/O，12个总线信号，差分时钟（CK/CK#）；3.0V I/O，11个总线信号，单端时钟（CK），片选（CS#），8位数据总线（DQ[7:0]），读写数据选通（RWDS）
• 可选信号：复位，INT#输出用于产生外部中断，Busy到Ready转换，RSTO#输出用于产生系统级上电复位（POR），用户可配置RSTO#低电平时间
• 高性能：双倍数据速率（DDR），每个时钟进行两次数据传输，1.8V VCC时最高166-MHz时钟速率（333 MB/s），3.0V VCC时最高100-MHz时钟速率（200 MB/s）