CY7C1313AV18-167BZC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1313AV18-167BZC
商品编号: C2955668
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1311AV18/CY7C1313AV18/CY7C1315AV18是1.8V同步流水线SRAM，配备QDR-II架构。该架构包括两个独立端口访问存储器阵列：读端口专用数据输出支持读操作，写端口专用数据输入支持写操作。独立的数据输入和输出消除了常见I/O设备所需的数据总线转向需求。各端口通过公共地址总线访问，读写地址在输入时钟K的交替上升沿锁存。读写端口访问相互独立。为提升数据吞吐量，读写端口均配备双倍数据率接口。每个地址对应四个8位字（CY7C1311AV18）、18位字（CY7C1313AV18）或36位字（CY7C1315AV18），可顺序突发进出设备。数据可在输入时钟K和K及输出时钟C和C的每个上升沿传输，从而提升存储器带宽并简化系统设计。设备采用地址输入多路复用以减少引脚数量，并通过独立端口避免数据竞争。

商品特性

独立的读写数据端口，支持并发事务
250 MHz时钟，用于高带宽
4字突发，降低地址总线频率
读写端口均具有双倍数据率接口（数据在250 MHz下以500 MHz传输）
两个输入时钟（K和K），用于精确的DDR时序，SRAM仅使用上升沿
两个输出时钟（C和C），补偿时钟偏斜和飞行时间不匹配
回波时钟（CQ和CQ），简化高速系统中的数据捕获
单一多路复用地址输入总线，锁存读写端口的地址输入
独立的端口选择，用于深度扩展
同步内部自定时写入
提供×8、×18和×36配置
完整的数据一致性，提供当前数据
核心电压Vdd=1.8V（±0.1V）；I/O电压Vddq=1.4V至Vdd
13×15×1.4 mm 1.0-mm间距FBGA封装，165球（11×15矩阵）
可变驱动HSTL输出缓冲器
JTAG 1149.1兼容测试访问端口
延迟锁定环，用于精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	18Mbit
	工作电压	1.4V~1.9V

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	640mA
	待机电流	420mA
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环