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CY15B128Q-SXE

128-Kbit 汽车级串行 F-RAM

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描述: 采用先进铁电工艺的128-Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟
品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY15B128Q-SXE
商品编号: C2954229
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.197克(g)

商品参数

商品概述

CY15B128Q是一款采用先进铁电工艺的128 Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠地保存数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15B128Q以总线速度执行写操作，无写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写入耐久性。CY15B128Q能够支持10¹³次读写循环，比EEPROM的写入循环次数多1000万倍。这些特性使CY15B128Q非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据记录（写入循环次数可能至关重要）以及对工业控制要求较高的场景（串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。CY15B128Q作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。它使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读设备ID，允许主机确定制造商、产品密度和产品版本。设备规格在-40°C至+125°C的汽车级温度范围内得到保证。

商品特性

128 Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑上组织为16 K × 8
高耐久性，10万亿（10¹³）次读写
121年数据保留（参见第13页的数据保留和耐久性）
无延迟写入
先进的高可靠性铁电工艺
非常快速的串行外设接口（SPI）
高达33 MHz频率
可直接硬件替代串行闪存和EEPROM
支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
复杂的写保护方案
使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
设备ID：制造商ID和产品ID
低功耗
33 MHz时5 mA工作电流
500 μA待机电流
12 μA睡眠模式电流
低电压操作：VDD = 2.7 V至3.6 V
汽车级温度：-40°C至+125°C
8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
符合AEC Q100 1级标准
符合有害物质限制（RoHS）标准

应用领域

数据记录
工业控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)
	接口类型	SPI
	存储容量	128Kbit
	工作电压	2V~3.6V
	工作电流	5mA
	时钟频率(fc)	40MHz

	属性	参数值
	待机电流	500uA
	睡眠模式电流(Izz)	12uA
	工作温度	-40℃~+125℃
	擦写寿命	10000000000000次
	数据保留 - TDR(年)	121年
	功能特性	工作状态指示