FM25VN10-G
FM25VN10-G
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- 描述
- 采用先进铁电工艺的1 Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V10以总线速度执行写操作,无写延迟。每个字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有更高的写入耐久性,能够支持10¹⁴次读写循环,比EEPROM多1亿倍的写入循环
- 商品型号
- FM25VN10-G
- 商品编号
- C2953584
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2V~3.6V | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 时钟频率(fc) | 40MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 150uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 8uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 |
优惠活动
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