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FM25VN10-G实物图
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FM25VN10-G

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描述
采用先进铁电工艺的1 Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,FM25V10以总线速度执行写操作,无写延迟。每个字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有更高的写入耐久性,能够支持10¹⁴次读写循环,比EEPROM多1亿倍的写入循环
商品型号
FM25VN10-G
商品编号
C2953584
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录铁电存储器(FRAM)
接口类型SPI
存储容量1Mbit
工作电压2V~3.6V
工作电流3mA
时钟频率(fc)40MHz
属性参数值
待机电流150uA
睡眠模式电流(Izz)8uA
工作温度-40℃~+85℃
擦写寿命100000000000000次
数据保留 - TDR(年)151年

数据手册PDF

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