S29GL01GT11TFIV33

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: S29GL01GT11TFIV33
商品编号: C2951599
商品封装: TFSOP-56
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	60ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；ECC纠错；软件写保护；上电复位；电源锁定保护

商品概述

S29GL01GT/512T 是基于 45 纳米工艺制造的 MIRRORBIT 闪存产品。这些器件提供快至 15 ns 的快速页访问时间，以及相应的快至 100 ns 的随机访问时间。它们具有写缓冲区功能，允许单次操作编程最多 256 字/512 字节，从而实现比标准编程算法更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

商品特性

45 纳米 MIRRORBIT 技术
用于读/编程/擦除的单电源 VCC (2.7 V 至 3.6 V)
多功能 I/O 特性
宽 I/O 电压范围 VIO：1.65 V 至 VCC
x8/x16 数据总线
异步 32 字节页读取
512 字节编程缓冲区
以页的倍数进行编程，最多 512 字节
单字和同一字多编程选项
自动错误检查与纠正 (ECC) — 带单位错误纠正的内部硬件 ECC
扇区擦除
统一的 128 KB 扇区
用于编程和擦除操作的中止与恢复命令
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法用于确定器件状态
高级扇区保护 (ASP)
每个扇区的易失性和非易失性保护方法
独立的 2048 字节一次性编程 (OTP) 阵列
四个可锁定区域 (SSR0-SSR3)
SSR0 出厂锁定
SSR3 密码读取保护
通用闪存接口 (CFI) 参数表
温度范围/等级
工业级 (-40℃ to +85℃)
工业增强级 (-40℃ to +105℃)
扩展级 (-40℃ to +125℃)
汽车级，AEC-Q100 3 级 (-40℃ to +85℃)
汽车级，AEC-Q100 2 级 (-40℃ to +105℃)
100,000 次编程/擦除周期
20 年数据保持
封装选项
56 引脚 TSOP
64 焊球 LAA 加固 BGA，13 mm × 11 mm
64 焊球 LAE 加固 BGA，9 mm × 9 mm
56 焊球 VBU 加固 BGA，9 mm × 7 mm

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	-
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.65V~3.6V