立创商城logo
购物车0
CY7C1415KV18-250BZXI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1415KV18-250BZXI

CY7C1415KV18-250BZXI

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
CY7C1415KV18-250BZXI
商品编号
C2950775
商品封装
FBGA-165(13x15)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量36Mbit
工作电压1.7V~1.9V
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流640mA
待机电流260mA
功能特性边界扫描(JTAG)功能

商品概述

CY7C1411KV18、CY7C1426KV18、CY7C1413KV18和CY7C1415KV18是1.8伏同步流水线静态随机存取存储器,采用四倍数据速率II架构。该架构包含两个独立端口:用于访问存储阵列的读取端口和写入端口。读取端口具有专用数据输出以支持读取操作,写入端口具有专用数据输入以支持写入操作。四倍数据速率II架构具有独立的数据输入和数据输出,完全消除了共用输入输出设备中存在的数据总线“转向”需求。每个端口可通过公共地址总线访问。读取和写入地址在输入时钟的交替上升沿锁存。对四倍数据速率II读取和写入端口的访问彼此独立。为了最大化数据吞吐量,读取和写入端口均配备了双倍数据速率接口。每个地址位置对应四个8位字、9位字、18位字或36位字,它们顺序突发进入或离开器件。由于数据可以在两个输入时钟的每个上升沿传入和传出器件,因此在简化系统设计、消除总线“转向”的同时,内存带宽得以最大化。深度扩展通过端口选择实现,这使得每个端口能够独立操作。所有同步输入通过由输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由输出时钟控制的输出寄存器。写入操作由片内同步自定时写入电路执行。

商品特性

  • 独立的读写数据端口
  • 支持并发事务
  • 333兆赫兹时钟,提供高带宽
  • 四字突发,降低地址总线频率
  • 读写端口均具备双倍数据速率接口,在333兆赫兹时钟下数据以666兆赫兹传输
  • 两个输入时钟,用于精确的双倍数据速率时序
  • 静态随机存取存储器仅使用上升沿
  • 两个输入时钟用于输出数据,以最小化时钟偏移和飞行时间失配
  • 回波时钟简化高速系统中的数据捕获
  • 单一复用地址输入总线锁存读写端口的地址输入
  • 独立的端口选择用于深度扩展
  • 同步内部自定时写入
  • 当DOFF信号置为高电平时,四倍数据速率II以1.5周期读取延迟运行
  • 当DOFF信号置为低电平时,运行类似于具有1周期读取延迟的四倍数据速率I器件
  • 提供×8、×9、×18和×36配置
  • 完全数据一致性,提供最新数据
  • 内核电压VDD = 1.8伏;输入输出电压VDDQ = 1.4伏至VDD
  • 支持1.5伏和1.8伏输入输出电源
  • 提供165球栅阵列封装
  • 提供无铅和非无铅封装
  • 可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
  • 兼容JTAG 1149.1的测试访问端口
  • 锁相环用于精确的数据放置

数据手册PDF