CY7C2670KV18-550BZI

品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C2670KV18-550BZI
商品编号: C2950791
商品封装: FBGA-165(15x17)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	1.14A
	待机电流	500mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环

商品概述

CY7C2670KV18是一款配备DDR II+架构的1.8V同步流水线SRAM。DDR II+由一个SRAM内核和先进的同步外围电路组成。读写的地址在输入时钟K的交替上升沿锁存。写数据在K和K的上升沿寄存。读数据在K和K的上升沿驱动。每个地址位置对应两个36位字，这些字顺序突发进出器件。这些器件具有片上终端特性，支持D[x:0]、BWS[x:0]和K/K输入，有助于消除外部终端电阻、降低成本、减少板面积并简化布线。异步输入包括一个输出阻抗匹配输入ZQ。同步数据输出Q与两个输出回波时钟CQ/CQ紧密匹配，消除了在系统设计中单独从每个DDR SRAM捕获数据的需求。所有同步输入通过由K或K输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由K或K输入时钟控制的输出寄存器。写操作由片内同步自定时写电路执行。

商品特性

144兆位密度
550兆赫时钟
双字突发以降低地址总线频率
双倍数据率接口
可用延迟周期为2.5
两个输入时钟用于精确的DDR时序
SRAM仅使用上升沿
回波时钟简化高速系统中的数据捕获
数据有效引脚指示输出上的有效数据
片上终端特性
支持D[x:0]、BWS[x:0]和K/K输入
同步内部自定时写操作
当DOFF置高时，DDR II+以2.5周期读延迟运行
当DOFF置低时，运行类似于具有1周期读延迟的DDR I器件
内核VDD = 1.8 V ± 0.1 V；输入/输出VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持1.5 V和1.8 V输入/输出电源
高速收发器逻辑输入和可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
采用165球细间距球栅阵列封装
提供无铅封装选项
兼容测试访问端口
锁相环用于精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	144Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V
	读写时间	-