CY62168GN30-45BVXI

CY62168GN30是高性能CMOS低功耗（MoBL）SRAM器件。这两款器件都提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。单芯片使能输入的器件通过将芯片使能输入（CE）置为低电平来访问。双芯片使能器件通过将两个芯片使能输入——CE₁（上划线）置为低电平且CE₂置为高电平来访问。通过将芯片使能1（CE₁上划线）置为低电平、芯片使能2（CE₂）置为高电平以及写使能（WE）输入置为低电平来向器件写入数据。然后，八个I/O引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将被写入地址引脚（A₀至A₂₀）指定的位置。通过将芯片使能1（CE₁上划线）和输出使能（OE）置为低电平、芯片使能2（CE₂）置为高电平，同时将写使能（WE）置为高电平来从器件读取数据。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将出现在I/O引脚上。当器件被取消选择（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）或正在进行写操作（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）时，八个输入和输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻态。有关读写模式的完整描述，请参阅第12页的真值表 - CY62168GN30。CY62168GN30器件采用无铅48引脚VFBGA封装。逻辑框图在第2页。

• 超低待机功耗
• 典型待机电流：1.5 μA
• 最大待机电流：8 μA
• 高速：45 ns
• 宽电压范围：2.2 V至3.6 V
• 1.0 V数据保持
• 晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容输入和输出
• 采用无铅48球VFBGA封装