CY62167EV18LL-55BVI

该CY62167EV18是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合为诸如蜂窝电话等便携式应用提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗降低99%。当器件被禁用（CE1为高电平或CE2为低电平，或BHE和BLE均为高电平）时，将其置于待机模式。当以下情况发生时，输入和输出引脚 (I/O₀ 至 I/O₁₅) 处于高阻态：器件被禁用（CE₁为高电平或CE₂为低电平）；输出被禁用（OE为高电平）；字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）；以及正在进行写操作（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）。

要向器件写入数据，需将芯片使能 (CE₁(overline) 为低电平且CE₂为高电平) 和写使能 (WE) 输入置为低电平。如果字节低位使能 (BLE) 为低电平，则来自I/O引脚 (I/O₀ 至 I/O₇) 的数据将写入地址引脚 (A₀ 至 A₁₉) 指定的位置。如果字节高位使能 (BHE) 为低电平，则来自I/O引脚 (I/O₈ 至 I/O₁₅) 的数据将写入地址引脚 (A₀ 至 A₁₉) 指定的位置。

要从器件读取数据，需将芯片使能 (CE₁(overline) 为低电平且CE₂为高电平) 和输出使能 (OE) 置为低电平，同时将写使能 (WE) 置为高电平。如果字节低位使能 (BLE) 为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀ 至 I/O₇ 上。如果字节高位使能 (BHE) 为低电平，则存储位置的数据将出现在I/O₈ 至 I/O₁₅ 上。有关读写模式的完整描述，请参阅第11页的真值表。

• 非常高的速度：55 ns
• 宽电压范围：1.65 V至2.25 V
• 超低待机功耗
• 典型待机电流：1.5 μA
• 最大待机电流：12 μA
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：在f = 1 MHz时为2.2 mA
• 借助CE₁(overline)、CE₂和OE(overline)功能轻松进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用CMOS技术，实现最佳速度和功耗
• 采用无铅48球超精细球栅阵列 (VFBGA) 封装