CY7C1426KV18-300BZC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1426KV18-300BZC
商品编号: C2949666
商品封装: LBGA-165
包装方式: 托盘
商品毛重: 8.35克(g)

商品参数

商品概述

CY7C1411KV18、CY7C1426KV18、CY7C1413KV18和CY7C1415KV18是1.8伏同步流水线静态随机存取存储器，采用四倍数据速率II架构。该架构包含两个独立端口：用于访问存储阵列的读取端口和写入端口。读取端口具有专用数据输出以支持读取操作，写入端口具有专用数据输入以支持写入操作。四倍数据速率II架构具有独立的数据输入和数据输出，完全消除了共用输入输出设备中存在的数据总线“转向”需求。每个端口可通过公共地址总线访问。读取和写入地址在输入时钟的交替上升沿锁存。对四倍数据速率II读取和写入端口的访问彼此独立。为了最大化数据吞吐量，读取和写入端口均配备了双倍数据速率接口。每个地址位置对应四个8位字、9位字、18位字或36位字，它们顺序突发进入或离开器件。由于数据可以在两个输入时钟的每个上升沿传入和传出器件，因此在简化系统设计、消除总线“转向”的同时，内存带宽得以最大化。深度扩展通过端口选择实现，这使得每个端口能够独立操作。所有同步输入通过由输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由输出时钟控制的输出寄存器。写入操作由片内同步自定时写入电路执行。

商品特性

独立的读写数据端口
支持并发事务
333兆赫兹时钟，提供高带宽
四字突发，降低地址总线频率
读写端口均具备双倍数据速率接口，在333兆赫兹时钟下数据以666兆赫兹传输
两个输入时钟，用于精确的双倍数据速率时序
静态随机存取存储器仅使用上升沿
两个输入时钟用于输出数据，以最小化时钟偏移和飞行时间失配
回波时钟简化高速系统中的数据捕获
单一复用地址输入总线锁存读写端口的地址输入
独立的端口选择用于深度扩展
同步内部自定时写入
当DOFF信号置为高电平时，四倍数据速率II以1.5周期读取延迟运行
当DOFF信号置为低电平时，运行类似于具有1周期读取延迟的四倍数据速率I器件
提供×8、×9、×18和×36配置
完全数据一致性，提供最新数据
内核电压VDD = 1.8伏；输入输出电压VDDQ = 1.4伏至VDD
支持1.5伏和1.8伏输入输出电源
提供165球栅阵列封装
提供无铅和非无铅封装
可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
兼容JTAG 1149.1的测试访问端口
锁相环用于精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	36Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	520mA
	待机电流	270mA
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能