CY7C1461AV33-133AXC

CY7C1461AV33/CY7C1463AV33是3.3V、1M×36 / 2M×18的同步直通突发静态随机存取存储器（SRAM），专门设计用于支持无等待状态的无限连续读写操作。该器件配备先进的NoBL逻辑，可在每个时钟周期传输数据，实现连续读写操作，显著提高SRAM的数据吞吐量，尤其适用于需要频繁读写转换的系统。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器，时钟输入由时钟使能（CEN）信号限定。写操作由两个或四个字节写选择（BWX上划线）和写使能（WE）输入控制，采用片上同步自定时写电路。三个同步芯片使能（CE1上划线、CE2、CE3上划线）和一个异步输出使能（OE）便于进行存储体选择和输出三态控制。

• 无总线延迟（NoBL）架构消除了写周期和读周期之间的死周期，支持高达133 MHz的零等待状态总线操作，每个时钟周期传输数据。
• 引脚与ZBT设备兼容，功能等效，内部自定时输出缓冲控制，无需使用OE。
• 具有直通操作的寄存器输入，具备字节写能力，I/O电源为3.3V和2.5V。
• 时钟到输出时间快，为6.5 ns（适用于133 MHz设备），具有时钟使能（CEN）引脚，可启用时钟和暂停操作，支持同步自定时写。
• 异步输出使能，CY7C1461AV33和CY7C1463AV33采用JEDEC标准无铅100引脚TQFP封装，有三个芯片使能，便于简单的深度扩展。
• 具有自动掉电功能，可使用ZZ模式或CE取消选择，具备突发能力，支持线性或交错突发顺序，待机功耗低。