CY7C1543KV18-450BZI

品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1543KV18-450BZI
商品编号: C2949384
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	780mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能

商品概述

CY7C1543KV18和CY7C1545KV18是1.8V同步流水线SRAM，配备QDR II+架构。类似于QDR II架构，QDR II+架构由两个独立端口组成：读取端口和写入端口，用于访问存储器阵列。读取端口具有专用数据输出以支持读取操作，写入端口具有专用数据输入以支持写入操作。QDR II+架构具有独立的数据输入和数据输出，以消除常见IO设备中存在的数据总线转向需求。每个端口通过公共地址总线访问。读取和写入地址在输入时钟K的交替上升沿锁存。QDR II+读取和写入端口的访问彼此独立。为了最大化数据吞吐量，读取和写入端口都配备DDR接口。每个地址位置与四个18位字（CY7C1543KV18）或36位字（CY7C1545KV18）关联，这些字顺序突发进入或离开设备。因为数据在输入时钟K和K的每个上升沿传输进入和离开设备，存储器带宽最大化，同时通过消除总线转向简化系统设计。深度扩展通过端口选择实现，使每个端口能够独立操作。所有同步输入通过由K或K反输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由K或K反输入时钟控制的输出寄存器。写入操作由片上同步自定时写入电路执行。

商品特性

独立的读取和写入数据端口
支持并发事务
450 MHz时钟用于高带宽
四字突发用于降低地址总线频率
读取和写入端口上的双数据速率接口（数据在450 MHz下以900 MHz传输）
可用2.0时钟周期延迟
两个输入时钟（K和K反）用于精确DDR定时
SRAM仅使用上升沿
回波时钟（CQ和CQ反）简化高速系统中的数据捕获
数据有效引脚（QVLD）指示输出上的有效数据
单一多路复用地址输入总线锁存读取和写入端口的地址输入
独立的端口选择用于深度扩展
同步内部自定时写入
当DOFF反置为高电平时，QDR II+以2.0周期读取延迟操作
当DOFF置为低电平时，操作类似于具有1周期读取延迟的QDR I设备
可用×18和×36配置
完全数据一致性，提供当前数据
核心VDD = 1.8V ± 0.1V；IO VDDQ = 1.4V至VDD
支持1.5V和1.8V IO电源
HSTL输入和可变驱动HSTL输出缓冲器
可用165球FBGA封装（13 × 15 × 1.4 mm）
提供无铅和非无铅封装
JTAG 1149.1兼容测试访问端口
锁相环用于精确数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	72Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V