CY7C10612G30-10ZSXI
16-Mbit (1M x 16) 静态随机存取存储器
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- 描述
- 高性能CMOS快速静态RAM设备,带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚,在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时,将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置
- 商品型号
- CY7C10612G30-10ZSXI
- 商品编号
- C2949442
- 商品封装
- TSOPII-54
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 3.3V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 110mA | |
| 待机电流 | 30mA |
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