CY62137FV30LL-45BVXI

CY62137FV30 是一款高性能CMOS静态RAM，组织为128K字×16位。该器件采用先进电路设计，提供超低活动电流，非常适合在便携式应用（如蜂窝电话）中提供更长电池寿命（MoBL）。该器件还具有自动省电功能，当地址不切换时显著降低功耗。当取消选择时（CE高电平或BLE和BHE均为高电平），将器件置于待机模式可降低功耗超过99%。输入输出引脚（I/O0到I/O15）在以下条件下置于高阻抗状态：当器件取消选择时（CE高电平）、输出禁用时（OE高电平）、字节高使能和字节低使能均禁用时（BHE、BLE高电平），或处于活动写入操作期间（CE低电平和WE低电平）。

• 高速：45
• 温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C
• 宽电压范围：2.20 V 至 3.60 V
• 引脚兼容CY62137CV/CV25/CV30/CV33、CY62137V和CY62137EV30
• 超低待机功耗：典型待机电流：1 μA；最大待机电流：5 μA（工业级）
• 超低活动功耗：典型活动电流：1.6 mA，频率为1 MHz时（45 ns速度）
• 使用CE和OE功能轻松扩展存储器
• 取消选择时自动省电
• 互补金属氧化物半导体（CMOS）用于速度和功率
• 字节省电功能
• 提供无铅48球超细间距球栅阵列（VFBGA）和44引脚薄型小外形封装（TSOP）II封装