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BRI2N60实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRI2N60

1个N沟道 耐压:600V 电流:2A

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商品型号
BRI2N60
商品编号
C358406
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.654克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
输入电容(Ciss)420pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)46pF

商品概述

TO-251 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N 沟道 MOSFET,采用 TO-251 塑料封装。

商品特性

~~- 低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关-低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关

应用领域

  • 适用于高功率 DC/DC 转换和功率开关
  • 这些器件非常适合高效开关型 DC/DC 转换器和开关电源。

数据手册PDF