S25FL256LAGMFM000

赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术和65 nm 光刻技术。FL-L 系列产品通过串行外设接口（SPI）连接主机系统，支持传统SPI 的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的两比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍数据速率（DDR）命令支持，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。该产品具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节 ，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块、64 KB 块或整个芯片擦除功能。FL-L 系列器件支持更高的时钟频率和四线命令，指令读取的传输率能够等于或超过传统的并行接口、异步、NOR 闪存存储器，同时可明显降低信号连接的计数。FL-L 产品系列为各种移动或嵌入式应用提供了容量大、灵活性高且速度快等性能，为空间，信号连接，功耗有限的系统提供了一个理想的存储解决方案，其灵活性和性能比普通串行闪存器件好很多，是用于将代码传送到RAM，直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据的理想选择。

• 具有多个I/O 的串行外设接口（SPI）
• 支持时钟极性以及相位模式0 和3
• 具有双倍数据速率（DDR）选项
• 具有四线外设接口（QPI）选项
• 具有扩展地址：24 或32 位地址选项
• 串行命令子集和封装与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S 以及S25FS-S SPI 系列兼容
• 多个I/O 命令子集和封装与S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S 以及S25FS-S SPI 系列兼容
• 256 字节的页编程缓冲区
• 3.0 V FL-L 闪存存储器
• 编程挂起和恢复
• 4 KB 扇区擦除
• 32 KB 半块擦除
• 64 KB 扇区擦除
• 芯片擦除
• 擦除挂起和恢复
• 100,000 万次编程/ 擦除周期（最小值）
• 最短数据保留时间为20 年
• 具有状态和配置寄存器保护
• 主闪存阵列外有四个安全区域，每个大小为256 字节
• 传统块保护：块范围
• 单独和区域保护
• 单独块锁定：易失性单独扇区/ 块保护
• 指针区域：非易失性扇区/ 块范围
• 安全区域2 和3 以及指针区域的电源锁定、密码和永久保护
• 65 nm 浮栅技术
• CMOS I/O 的单个供电电压
• 温度范围/ 级别：
  • 工业级（ -40℃ 到 +85℃ ）
  • 扩展的工业级（ -40℃ 到 +105℃ ）
  • 汽车级，AEC - Q100 等级3 （ -40℃ 到 +85℃ ）
  • 汽车级，AEC - Q100 等级2 （ -40℃ 到 +105℃ ）
  • 汽车级，AEC - Q100 等级1 （ -40℃ 到 +125℃ ）
• 封装类型（所有均无铅）：
  • 8 - SOIC 208 mil （SOC008）— 仅S25FL128L 提供
  • WSON 5x6 mm （WND008）— 仅S25FL128L 提供
  • WSON 6x8 mm （WNG008）— 仅S25FL256L 提供
  • 16 - SOIC 300 mil （SO3016）
  • BGA - 24 6x8 mm • 5x5 ball （FAB024）封装
  • 4x6 ball （FAC024）封装