S26KL512SDABHN030

HYPERFLASH家族提供512 Mb (64 MB) / 256 Mb (32 MB) / 128 Mb (16 MB)的存储容量，并支持HYPERBUS接口，工作电压为3.0 V或1.8 V。该系列内存具有多种特性，包括3.0V和1.8V I/O选项、单端时钟和差分时钟（CK, CK#）、芯片选择(CS#)、8位数据总线(DQ[7:0])以及读写数据触发器(RWDS)。HYPERFLASH内存使用RWDS仅作为读取数据触发器。它还支持96纳秒的初始随机读取访问时间，初始随机访问读延迟为5到16个时钟周期，并提供顺序突发交易和可配置的突发特性。此外，该系列内存具有低功耗模式、外部中断生成功能(INT#输出)、系统级上电复位(RSTO#输出)，以及512字节程序缓冲区。HYPERFLASH家族还支持扇区擦除，包括统一的256 KB扇区和可选的八个4 KB参数扇区（总计32 KB）。它具备先进的扇区保护功能，提供每扇区的易失性和非易失性保护方法，并具有单独的1024字节一次性编程阵列。该系列内存的工作温度范围广泛，包括工业、工业增强型、扩展和汽车级（AEC-Q100等级3、2和1）。HYPERFLASH家族还通过了ISO/TS16949和AEC Q100认证，并具有10万次编程/擦除周期的耐久性和20年的数据保留能力。其包装选项包括24球FBGA，附加特性还包括ECC 1位校正、2位检测以及CRC功能。