S26KS512SDPBHM020

HYPERFLASH系列产品是采用HYPERBUS低信号数DDR接口的高速CMOS MIRRORBIT NOR闪存器件，可实现高读取吞吐量。DDR协议在每个时钟周期内通过数据(DQ)信号传输两个数据字节。对于HYPERFLASH的读取或写入访问，包括在内部HYPERFLASH核心进行的一系列16位宽、单时钟周期数据传输，以及在DQ信号上进行的两次对应的8位宽、半时钟周期数据传输。数据和命令/地址信息均以DDR方式通过8位数据总线传输。时钟输入信号用于HYPERFLASH器件在DQ信号上接收命令/地址/数据信息时进行信号捕获。读取数据选通(RWDS)是HYPERFLASH器件的输出信号，用于指示数据何时从存储器传输到主机。在读取操作的数据传输阶段，RWDS参考CK的上升沿和下降沿。

• 3.0 V I/O，11条总线信号
• 单端时钟
• 1.8 V I/O，12条总线信号
• 差分时钟(CK, CK#)
• 片选(CS#)
• 8位数据总线(DQ[7:0])
• 读写数据选通(RWDS)
• HYPERFLASH存储器仅将RWDS用作读取数据选通
• 高达333 MBps的持续读取吞吐量
• DDR：每个时钟两次数据传输
• 在1.8 V VCC下，166 MHz时钟速率(333 MBps)
• 在3.0 V VCC下，100 MHz时钟速率(200 MBps)
• 96 ns初始随机读取访问时间
• 初始随机访问读取延迟：5至16个时钟周期
• 顺序突发事务
• 可配置的突发特性
• 回绕突发长度：16字节(8个时钟)、32字节(16个时钟)、64字节(32个时钟)
• 线性突发
• 混合选项：一次回绕突发后接线性突发
• 每次事务中可选择回绕或线性突发类型
• 可配置的输出驱动强度
• 低功耗模式
• 读取期间活动时钟停止：12 mA，无需唤醒
• 待机模式：25 μA(典型值)，无需唤醒
• 深度掉电模式：8 μA(典型值)，需要300 μs唤醒时间
• INT#输出用于生成外部中断
• 从忙到就绪的转换
• ECC检测
• RSTO#输出用于生成系统级上电复位
• 用户可配置的RSTO#低电平周期
• 512字节编程缓冲区
• 扇区擦除
• 统一的256 KB扇区
• 可选的八个4 KB参数扇区(总计32 KB)
• 高级扇区保护
• 每个扇区具有易失性和非易失性保护方法
• 独立的1024字节一次性编程阵列
• 工作温度范围：工业级(-40℃至+85℃)、工业增强级(-40℃至+105℃)、扩展级(-40℃至+125℃)、汽车级AEC-Q100 3级(-40℃至+85℃)、汽车级AEC-Q100 2级(-40℃至+105℃)、汽车级AEC-Q100 1级(-40℃至+125℃)
• 通过ISO/TS16949和AEC Q100认证
• 耐久性：100,000次编程/擦除循环
• 数据保持：20年
• 擦除和编程电流：最大峰值≤100 mA
• 封装选项：24球FBGA
• 附加功能：ECC 1位纠错，2位检测
• CRC