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PT3416
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- PT3416采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PT3416
- 商品编号
- C2943998
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 符合无铅产品要求
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换