温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PT3415
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- PT3415采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PT3415
- 商品编号
- C2943997
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- VDS = -20 V, ID = -4 A
- RDS(ON) < 63 m Ω @ VGS = -2.5 V
- RDS(ON) < 55 m Ω @ VGS = -4.5 V
- ESD等级:2500V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关