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SLM2003ECA-DG

200V半桥驱动器

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描述: 200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns
品牌名称: Sillumin(数明半导体)
商品型号: SLM2003ECA-DG
商品编号: C2943125
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

SLM2003E是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET，其工作电压最高可达200 V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
最高可在+200 V下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10 V至18 V
欠压锁定功能
与3.3 V、5 V逻辑兼容
交叉导通预防逻辑
双通道匹配的传播延迟
内部设置死区时间
高端输出与HIN输入同相
低端输出与LIN输入反相
符合RoHS标准的SOP8封装

数据手册PDF

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(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	290mA
	拉电流(IOH)	600mA
	工作电压	10V~18V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	25ns
	传播延迟 tpLH	125ns
	传播延迟 tpHL	125ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃