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NT5CC256M16DP-DI
商用、工业和汽车级DDR3(L) 4Gb SDRAM 停产
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- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5CC256M16DP-DI
- 商品编号
- C2943100
- 商品封装
- BGA-96(13x9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.753克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该4Gb双倍数据速率3代（DDR3(L)）动态随机存取存储器是一款高速互补金属氧化物半导体同步动态随机存取存储器，包含4,294,967,296个存储位。其内部配置为八存储体架构。该4Gb芯片组织为64M位 × 8输入/输出 × 8存储体和32M位 × 16输入/输出 × 8存储体。这些同步器件可实现高达2133 Mb/秒/引脚的高速双倍数据速率传输速率，适用于通用应用。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L)动态随机存取存储器特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿和CK（上划线）下降沿）被锁存。所有输入/输出均以源同步方式与单端数据选通或差分数据选通对同步。这些器件采用1.5V ± 0.075V或1.35V -0.067V / +0.1V单电源供电，并提供BGA封装。
商品特性
- 符合JEDEC DDR3标准
- 8n预取架构
- 差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS）
- 数据输入/输出、数据选通和数据掩码上的双倍数据速率
- 通过动态随机存取存储器内置温度传感器实现自动自刷新
- 自动刷新和自刷新模式
- 部分阵列自刷新
- 掉电模式
- 可配置的驱动强度以提升系统兼容性
- 可配置的片内终端匹配
- 通过外部ZQ引脚（240欧姆 ± 1%）进行ZQ校准，以实现驱动强度/片内终端匹配阻抗精度
- 通过模式寄存器设置实现写入均衡
- 通过多用途寄存器实现读取均衡
- 接口和电源：DDR3采用SSTL_15标准，VDD/VDDQ = 1.5V（±0.075V）；DDR3L采用SSTL_135标准，VDD/VDDQ = 1.35V（-0.067V / +0.1V）
- 速度等级：2133 Mbps / 14-14-14，1866 Mbps / 13-13-13，1600 Mbps / 11-11-11
- 温度范围：商业级 = 0°C ~ 95°C，准工业级（-T）= -40°C ~ 95°C，工业级（-I）= -40°C ~ 95°C，汽车级2（-H）= -40°C ~ 105°C，汽车级3（-A）= -40°C ~ 95°C
- 可编程功能：列地址选通延迟，列地址选通写入延迟，附加延迟，写入恢复时间，突发类型，突发长度，自刷新温度范围，输出驱动器阻抗，片内终端匹配标称值，片内终端匹配写入值，预充电掉电模式
- 封装/密度信息：符合无铅RoHS标准且无卤素