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RYM002N05GT2CL
1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：高速开关。 小封装（VMT3）。 超低电压驱动（0.9V驱动）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RYM002N05GT2CL
- 商品编号
- C2941617
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 26pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 20V/9.5A
- 快速开关
- 内置G - S ESD保护二极管
- 有环保型器件可供选择
- DFN2x3封装设计
应用领域
- MB/VGA/Vcore
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- LCD显示器逆变器
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