温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH3400C
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:4.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3400C
- 商品编号
- C2940037
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
-沟槽功率低压MOSFET技术-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(ON))-高速开关
商品特性
- 漏源电压（VDS）-30V
- 漏极电流（ID）-5.1A
- 栅源电压（VGS）=-10V时的漏源导通电阻（RDS(ON)）<43欧姆
- 栅源电压（VGS）=-4.5V时的漏源导通电阻（RDS(ON)）<59毫欧
- 100% ∇VDS测试
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理
相似推荐
其他推荐