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KIRFR9024NTRTBF
1个P沟道 耐压:60V 电流:8.8A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、强化器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。该器件专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFR系列）适用于通孔安装应用
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- KIRFR9024NTRTBF
- 商品编号
- C2939002
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
WNM2021FL是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021FL为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-323
应用领域
- DC-DC转换电路
- 小信号开关
- 负载开关
- 电平转换