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50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 50NO6将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- KUU
- 商品型号
- 50N06
- 商品编号
- C2939003
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108.5pF |
商品特性
- 1.2 V驱动
- 低导通电阻：漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为390 mΩ（栅源电压VGS为 -4.5 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为480 mΩ（栅源电压VGS为 -2.5 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为660 mΩ（栅源电压VGS为 -1.8 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为900 mΩ（栅源电压VGS为 -1.5 V时）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为4000 mΩ（栅源电压VGS为 -1.2 V时）
应用领域
- 负载开关应用
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