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SI2301
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 1个P沟道 耐压:20V 电流:3A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- SI2301
- 商品编号
- C2938372
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
UTC 12N65是N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用UTC专有的平面条纹和DMOS技术制造。 这些器件适用于高效开关模式电源。为了最小化导通电阻、提供卓越的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，该先进技术经过了特别定制。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 6.0A时，RDS(ON) < 0.85 Ω
- 超低栅极电荷（典型值42 nC）
- 低反向传输电容（CRSS典型值25 pF）
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力，具有高耐用性