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AP4606B
N通道和P通道增强型MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 特性：N沟道：VDD = 30V，ID = 7A，RDS(ON) ≤ 25mΩ（VGS = 10V时，典型值18mΩ）；RDS(ON) ≤ 38mΩ（VGS = 4.5V时，典型值25mΩ）。 P沟道：VDD = -30V，ID = -5.1A，RDS(ON) ≤ 50mΩ（VGS = -10V时，典型值38mΩ）；RDS(ON) ≤ 70mΩ（VGS = -4.5V时，典型值53mΩ）。 无铅产品。 高功率和电流处理能力。 表面贴装封装。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP4606B
- 商品编号
- C2936848
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
V2N65是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽MOSFET设计，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩耐量特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 高功率和高电流处理能力
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理