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LPM9017B3F
P沟道,电流:-4.1A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 商品型号
- LPM9017B3F
- 商品编号
- C2935098
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LPM9017 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- -30V/-4A,RDS(ON)<58mΩ(典型值)@VGS=-10V
- -30V/-3.0A,RDS(ON)<68mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- SOT23 封装
应用领域
-便携式媒体播放器-蜂窝和智能手机-液晶显示器-数码相机传感器-无线网卡
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