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DN2102W
N沟道,电流:2.0A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 商品型号
- DN2102W
- 商品编号
- C2931645
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 68Ω@4.5V,2A | |
| 功率 | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 280pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 29pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WPM6207是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM6207为无铅产品。
商品特性
- 漏源电压(VDS):20 V
- 漏极电流(ID):2.0 A
- 漏源导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5 V时)< 68 欧姆
- 漏源导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 2.5 V时)< 115 欧姆
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关