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SIJK140E-T1-GE3
N沟道40 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET领先的RDS(on)，可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIs测试。 标准级FET。 增强功率耗散并降低RthJC。 材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档。应用：同步整流。 自动化
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJK140E-T1-GE3
- 商品编号
- C30985398
- 商品封装
- PowerPAK10x12-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 795A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.47mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 536W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 470nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 领先的导通电阻RDS(on),可最大限度降低传导产生的功率损耗
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
- 标准电平FET
- 增强功率耗散能力,降低结壳热阻RthJC
应用领域
-同步整流-自动化-或门和热插拔开关-电源-电机驱动控制-电池管理