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IMLT65R026M2HXTMA1
基于第二代碳化硅沟槽技术的650V SiC MOSFET，具备超低开关损耗、高可靠性和易用性，适用于高效高功率密度设计
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMLT65R026M2HXTMA1
- 商品编号
- C30978712
- 商品封装
- HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.84克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.257kA | |
| 耗散功率(Pd) | 365W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.499nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ |
商品特性
- 极低的开关损耗
- 基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V
- 即使在0V关断栅极电压下也能有效防止寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极性驱动方案
- 在硬换流事件下具有稳健的体二极管运行特性
- 采用.XT互连技术，实现一流的散热性能
应用领域
- 开关电源
- 太阳能光伏逆变器
- 储能与电池化成
- 不间断电源
- 电动汽车充电基础设施
- 电机驱动