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JMTL2002KT2
1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
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- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL2002KT2
- 商品编号
- C350860
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V,0.75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 120pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V，漏极电流（ID） = 0.75 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 0.38 Ω
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 0.45 Ω
- 栅源电压（VGS） = 1.8 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 0.8 Ω
- 低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 表面贴装封装
- 静电放电（ESD）保护：2KV
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理