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DMF10N60
600V N沟道功率MOSFET,电流:10A,耐压:600V
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- 描述
- 打线工艺
- 品牌名称
- DIYI(迪一/芯诺)
- 商品型号
- DMF10N60
- 商品编号
- C2929659
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.57nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH3415B++ 是采用沟槽技术、塑料封装（SOT-23）的 P 沟道增强型 MOSFET。
商品特性
- VDS = -30 V；ID = -5.7 A
- RDS(ON)（典型值）= 25 mΩ @ VGS = -10 V
- RDS(ON)（典型值）= 30 mΩ @ VGS = -4.5 V
- RDS(ON)（典型值）= 28 mΩ @ VGS = -5.0 V
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装（SOT-23）
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
- 高速开关
- DC-DC 转换器
- 锂离子电池
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